LPP FINFET

Dolphin Design宣布首款支持12纳米 FinFet技术的硅片成功流片

这款测试芯片是业界首款采用12纳米FinFet（FF）技术为音频IP提供完整解决方案的产品。该芯片完美结合了高性能、低功耗和优化的占板面积，为电池供电应用提供卓越的音质与功能。这款专用测试芯片通过加快

Dolphin Design 2024-02-22

台积电2nm芯片启动，学习三星，抛弃老掉牙的FinFET，采用GAAFET

在芯片工艺中，有一个核心指标，叫做“线宽”。什么叫线宽？指的是芯片的最小电路蚀刻宽度，线宽越窄，单位面积所能刻蚀的晶体管数量就越多，性能也就越强。但线宽不可能无限缩小，因为电路要正常通电，至少也要维持着几十上百个原子的宽度，不可能持续的，无限的缩小的

芯片台积电中芯国际 7nm 光刻机 2024-01-25

5nm及更先进节点上FinFET的未来：使用工艺和电路仿真来预测下一代半导体的性能

作者：Coventor（泛林集团旗下公司）半导体工艺与整合工程师Assawer Soussou博士原文链接：https：／／www．coventor．com／blog／future－finfets－5

泛林集团半导体 FinFET 电路晶体管 2022-05-05

intel的FinFET芯片技术侵犯中科院专利：要赔多少钱？

虽然现在从芯片制造技术来看,intel已经落后于台积电、三星。而从市场营收来看,也落后于三星,但大家也无法否认,intel依然是全球最强大的芯片企业之一。特别是intel在2011年使用FinFET(鳍式场效应晶体管)技术后

intel 三星 FinFET 芯片制造 2021-09-09

中芯国际：FinFET工艺已量产产能1.5万片

8月5日晚，中芯国际发表了2021年Q2财报，营收13.4亿美元，同比增长43.2%，环比增长21,8%，归母净利润为6.88亿美元，环比增长332.9%，同比增长398.5%。在财报电话会上，中芯国

CPU处理器中芯国际 2021-08-06

Nerissa Draeger博士：全包围栅极结构将取代FinFET

作者：泛林Nerissa Draeger博士FinFET在22nm节点的首次商业化为晶体管——芯片“大脑”内的微型开关——制造带来了颠覆性变革。与此前的平面晶体管相比，与栅极三面接触的“鳍”所形成的通道更容易控制

全包围栅极结构 FinFET 2021-01-27

FinFET寿终正寝！台积电2nm GAA工艺结束路径探索阶段

当前,最先进的芯片已经采用了5nm工艺(苹果A14),这在另一方面也意味着,晶圆代工厂商们需要更加马不停蹄地推进制程技术的迭代。来自Digitimes的最新报道称,台积电2nm GAA工艺研发进度提前,目前已经结束了路径探索阶段

台积电 3nm 2nm 三星 2020-09-22

台积电3nm及4nm制程工艺量产时间同步，坚持FinFET不动摇

在台积电第26届技术研讨会中，台积电证实了5nm和6nm制程工艺已经进入大规模量产阶段。同时，官方也宣布将在明年推出5nm的升级版本。此外，更为先进的3nm和4nm工艺也已经在研发之中。

台积电三星制程工艺 FinFET 栅极全包围 2020-08-26

后FinFET时代的技术演进

FinFET晶体管架构是当今半导体行业的主力军。但是，随着器件的持续微缩，短沟道效应迫使业界引入新的晶体管架构。在本文中，IMEC的3D混合微缩项目总监Julien Ryckaert勾勒出了向2nm及以下技术节点发展的演进之路。

FinFET 晶体管架构半导体 2020-08-24

Intel被控侵犯中科院微电子所FinFET专利预计将赔偿2亿元

据国家知识产权局专利复审委员会消息，其审理了201110240931．5（“FinFET专利”）发明专利的无效申请。无效申请的请求人是Intel（中国）有限公司，而专利权人为中国科学院微电子研究所（下称“微电子所”）

Intel 处理器 2020-08-02

格罗方德12LP+ FinFET制程准备投入生产

格罗方德于日前宣布，其全新FinFET半导体制程计划12LP＋已完成技术鉴定，正准备投入生产。

格罗方德人工智能半导体制程 12LP 12LP+ 2020-07-01

台积电首次公布3nm工艺详情：FinFET技术 2021年试产

尽管2020年全球半导体行业会因为疫情导致下滑，但台积电的业绩不降反升，掌握着7nm、5nm先进工艺的他们更受客户青睐。今天的财报会上，台积电也首次正式宣布3nm工艺详情，预定在2022年下半年量产。

台积电 3nm 工艺 CPU FinFET技术 2020-04-17

中芯国际2019年Q4营收8.394亿美元：第一代FinFET 14nm顺利量产

中芯国际公告称，2019年第四季度营收8．394亿美元，同比增长6．6％；第四季度净利润8874万美元，同比增长234．6％。IT之家报道，中芯国际表示，2019年最终顺利完成全年目标。其中，中国区营收四季度占比65％，环比增长11％，同比增长21％

中芯国际芯片 IT资讯业界 2020-02-14

瞄准高端FinFET技术，中芯国际在今年能否交出满意答卷？

中芯国际公布 2019 年首季财报虽然获利缩水，但对于第二季的展望是相当乐观，估计营收将强劲反弹 17％～19 ％，与行业内认为首季是谷底的基调一致。专攻高端 FinFET 技术的中芯南方晶圆厂完成建置，第一台 ASML 光刻机日前已经搬入厂内。

FinFET技术中芯国际晶圆代工 2019-05-10

Bulk CMOS/FD-SOI/FinFET 22nm工艺大战在即，代工厂如何站队

各大晶圆厂积极寻求差异化，BulkCMOS、FD－SOI和FinFET随时待命，不过问题在于，在28nm之后，芯片制造商将走向何方？

芯片制作晶圆代工 2018-11-21

FinFET凭什么应用于新一代ASIC矿机芯片？

中本聪打造比特币的时候，设计的是使用电脑（包括家用电脑）来挖矿，主要依靠CPU去计算。但是随着比特币等数字货币的价值越来越高，挖矿成为了一个产业，竞争越来越激烈，挖矿难度也不断提升，于是逐渐转移到硬件比拼上来。

FinFET ASIC 矿机芯片 2018-08-03

三星11nm FinFET欲登场，台积电的大麻烦？

三星电子宣布，在其晶圆代工产品组合中将增加11nm的FinFET工艺。

11nm FinFET 2017-09-12

三星宣布量产第2代14纳米LPP FINFET工艺芯片并用于Galaxy S7中

三星电子计划使用第二代14纳米FinFET制程技术量产更先进的处理器，并很快将被用于三星的高端智能手机Galaxy S7中。

三星 14纳米 LPP FINFET Galaxy S7 芯片 2016-01-15

台积电采用Cadence方案制作Finfet10纳米芯片

台积电（TSMC）依据Cadence提供的工具制定了10纳米芯片定制设计参照流程，他们正致力于首次将10纳米FinFet芯片推向商用。

台积电 Cadence方案 Finfet10纳米芯片 2015-09-17